刻蝕氣體（Etchinggases）：刻蝕是在沒(méi)有光致抗蝕劑掩膜的情況下蝕刻掉基板上的加工表面，例如氧化硅膜，金屬膜等，從而保留被光致抗蝕劑掩蓋的區(qū)域，從而使表面獲得基材。所需的成像圖形。蝕刻的基本要求是圖形的邊緣要整齊，線條清晰，圖形的差異很小，并且光致抗蝕劑膜和掩膜保護(hù)層的表面不得受損或底切。蝕刻方法包括濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻中使用的氣體稱為蝕刻氣體，通常為氟化物氣體，例如四氟化碳，三氟化氮，六氟乙烷，全氟丙烷，三氟甲烷等。干法蝕刻由于其強(qiáng)大的蝕刻方向，精確的工藝控制而具有越來(lái)越廣泛的應(yīng)用范圍，方便，無(wú)脫膠，無(wú)基材損壞和污染。