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    摻雜氣體

    * 來源: * 作者: * 發(fā)表時間: 2020/03/23 1:39:42 * 瀏覽: 145
    摻雜劑氣體:在半導(dǎo)體器件和集成電路的制造中,某些雜質(zhì)或某些雜質(zhì)被摻雜到半導(dǎo)體材料中,從而使該材料具有所需的導(dǎo)電類型和一定的電阻率。它用于制作PN結(jié),電阻,掩埋層等。摻雜過程中使用的氣體摻雜源稱為摻雜氣體。它主要包括砷,膦,三氟化磷,五氟化磷,三氟化砷,五氟化砷,三氯化硼和乙硼烷。通常,摻雜源和載氣(例如氬氣和氮氣)在源機(jī)柜中混合?;旌虾?,氣流連續(xù)流入擴(kuò)散爐并包圍晶片?;衔飺诫s物沉積在晶片表面上,與硅反應(yīng)生成摻雜金屬遷移到硅中。
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